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行業(yè)知識(shí)

      水質(zhì)指標(biāo)

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產(chǎn)品分類(lèi)

 

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中華人民共和國(guó)機(jī)械行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水

                                        JBT 7621--94  
                             
機(jī)械工業(yè)部.1994-12-09批準(zhǔn) 1995—O6—O1實(shí)施
1 主題內(nèi)容與通用范圍 
 
本標(biāo)準(zhǔn)給出了電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級(jí)別、技術(shù)要求、測(cè)試方法和規(guī)則。 
 
本標(biāo)準(zhǔn)適用于去離子處理后的高純水。 
2
引用標(biāo)準(zhǔn) 
 GB11446
電子級(jí)水及其檢測(cè)方法
3
術(shù)語(yǔ) 
3
1 電導(dǎo)率electrical conductivityctricalconduc2ivity 
 
在規(guī)定溫度下,1cm3水溶液兩相對(duì)面之間測(cè)得的電阻值的倒數(shù)。電導(dǎo)率通常以μS/cm為單位。水的理論電導(dǎo)率為0.0548μs/cm(25℃時(shí))
3
2電阻率 resistivity 
 
電導(dǎo)率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時(shí))。溫度升高時(shí)電阻率下降。
3
3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance 
 
除氣體以外,以非液態(tài)形式分散在水中,并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。
3
4總有機(jī)碳(TOC)total organic carbon 
 
水中以各種有機(jī)物形式存在的碳的總量。包括易被般強(qiáng)氧化劑氧化的有機(jī)物和需用特殊化的有機(jī)物。
3
5總固體 total solid 
 
水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。
3. 6
全硅 total silicon 
 
水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3
7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上,各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規(guī)定限制的很純凈水 

3
8原水raw watcr 
 
純化處理之前的水。常用的原水將自來(lái)水、井水、河水等。
3
9終端 terminal 
 
高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過(guò)各道沖化工藝后,水的出口使用地點(diǎn)。可分別稱為制水終端和用水
3
10微量micro-amount 
 
試樣量在1mg左右。
3
11 痕量 trace amount
 
試樣量在1μg左右。
3
12百萬(wàn)分之一(ppm) part per million 
重量比的量,相當(dāng)于每百萬(wàn)重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中,一殷也認(rèn)為相當(dāng)每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(shù)(mgL)
3
13十億分之一(ppb)part per billion
重量比的單位,相當(dāng)于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì),在水質(zhì)分折中,一般認(rèn)為相當(dāng)于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(shù)(μgL)

4
高純水的級(jí)別 
4
1高純水可分為電子級(jí)高純水和普通高純水,分別用符號(hào)EHpH標(biāo)志
4. 2
電子級(jí)高純水
4
21在制造工藝中使用電子級(jí)高純水的電力半導(dǎo)體器件有如下特點(diǎn):
a
.具有精細(xì)圖形結(jié)構(gòu);
b
.對(duì)器件表面有特殊要求;
c
.工藝對(duì)水質(zhì)有特定的嚴(yán)格要求。
4
22電子級(jí)高純水分為兩個(gè)級(jí)別:特級(jí)和I級(jí)。它們的標(biāo)志分別是:
特級(jí)電子級(jí)高純水:EH—T
一級(jí)電子級(jí)高純水:EH—1
4
3普通高純水
4
31普通高純水用于一般電力半導(dǎo)體器件的制造工藝中。
4
32普雙高純水分為三個(gè)級(jí)別:級(jí)、級(jí)和級(jí)。它們的標(biāo)志分別是:
I
級(jí)普通高純水:pH—Ⅰ
x
級(jí)普通高純水:PH—Ⅱ
m
級(jí)普通高純水:pH—Ⅲ
4. 4
電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。

5
技術(shù)要求
51電子級(jí)高純水
5
11電子級(jí)高純水應(yīng)考核四項(xiàng)內(nèi)容:
a.
水中自由離子濃度(主要影響電阻率)
b
.水中懸浮微粒的數(shù)量和大小;
C.
水中有機(jī)物總量;
d.
水中細(xì)菌微生物狀況。
5. 1. 2
電子級(jí)高純水的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)由表1給出。
l

指    標(biāo) 

級(jí) 別 

EH— T

 EH-I

電阻率,MΩ·cm(25℃) 

18 (90%時(shí)間)
最小
17

16~18 (90%時(shí)間)
最小
15

大于1μm微粒數(shù).個(gè)/mL

1

1

 大于05um微被數(shù)
(
最大值),個(gè)/
mL

100 

150

 細(xì)菌個(gè)數(shù),個(gè)/mL

 

1

 總有機(jī)碳含量(最大值)μgL

50

100

全硅(最大值)μgL

2

10

氯含量(最大值)μg

0.5

2

鉀含量(最大值)μg

0.2

1

鈉含量(顯大值)μgL

0.2

1

鈣含量(最大值)μgL

0.5

1

鋁含量(最大值)μgL

0.5

1

銅含量(最大值)μgL

0.1

1

總可溶性固體含量(最大值)μg

3

10

52普通高純水 
5
21普通高純水主要考核其電阻率。 
5
22普通高純水的技術(shù)指標(biāo)由表2給出。 
 

指   標(biāo)

級(jí)   標(biāo)

PH-Ⅰ

PH-Ⅱ

PH-Ⅲ

電阻率(25℃)cm

12-15

8~<12

5~<8

大于lμm的微粒數(shù),個(gè)/mL

<50

總有機(jī)碳含量,μg

<500

全硅,μgL

<100

6測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則 
6
1電阻率測(cè)試方法 
6
11用電導(dǎo)率儀測(cè)量高純水電阻率時(shí): 
 a
.電導(dǎo)池常數(shù)選川0.1—0.01cm-1 
 b
.被測(cè)高純水應(yīng)處于密封流動(dòng)狀態(tài),避免任何氣體混入,流速不低于03m/s
6
12t℃時(shí)測(cè)得的電阻率值ρt,用下式換算成25℃的電阻率ρ25 
    ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中:ρ25——25時(shí)的電阻率MΩ.CM
   ρt——t℃時(shí)的電阻率MΩ.CM
   Gt——t℃時(shí)理論純水的電導(dǎo)率μS/CM,其值見(jiàn)附錄A;
   αt——t℃時(shí)修正系數(shù),其值見(jiàn)附錄A;
   0.05482——t℃時(shí)理論純水的電導(dǎo)率μS/CM。
6.2其他技術(shù)指標(biāo)測(cè)量方法
  執(zhí)行GB11446.5~11446.11中有關(guān)規(guī)定。
6
.3檢驗(yàn)規(guī)則
6
31各個(gè)級(jí)別高純水的電阻率為經(jīng)常必測(cè)項(xiàng)目。
6
32對(duì)電子級(jí)高純水,用水單位還應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)要求制定對(duì)微粒數(shù)、痕量金屬、細(xì)菌、有機(jī)物及二氧化硅等各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的檢驗(yàn)規(guī)則。
6
33制水工藝條件改變時(shí),應(yīng)及時(shí)對(duì)表1或表2中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)全面檢驗(yàn)。
6
34所有測(cè)量均應(yīng)在制水終端和用水點(diǎn)兩處測(cè)量。制水終端水的質(zhì)量稱為制水水質(zhì);用水點(diǎn)水的質(zhì)量稱為用水水質(zhì)。對(duì)普通高純水,用水水質(zhì)和制水水質(zhì)應(yīng)在同一級(jí)別上。對(duì)電子級(jí)高純,主要檢驗(yàn)用水水質(zhì),但應(yīng)給出制水水質(zhì)作參考。制水水質(zhì)還用于檢驗(yàn)制水設(shè)備和技術(shù)。
6
4檢驗(yàn)標(biāo)志
在高純水制水終端和用水點(diǎn)按要求進(jìn)行檢驗(yàn)后,若水質(zhì)合格,應(yīng)附標(biāo)有下列內(nèi)容的檢驗(yàn)合格證:
  a.高純水的級(jí)別標(biāo)志;
  b.要求檢測(cè)的技術(shù)指標(biāo)及測(cè)量結(jié)果;
  c. 制水單位;
  d.連續(xù)供水開(kāi)始日期(普通高純水可無(wú)此項(xiàng))
  e.檢驗(yàn)員簽章及檢驗(yàn)日期。

7
取樣、存貯和運(yùn)輸
7. 1.
高純水的取樣
7
11盛水容器必須使用塑料或硬質(zhì)玻璃容器。用于測(cè)定硅或分析痕量成分時(shí)。必須使用聚乙烯等塑料容器。
7
12取樣前,盛水容船應(yīng)預(yù)先用洗滌劑清洗干凈,再用鹽酸(11)10%硝酸溶液浸泡48H(分析陰離子用的容器除外),然后用高純水沖洗干凈,再用高純水浸泡不少于6h。臨取樣時(shí),用待測(cè)高純水沖洗容器小少于10次、方可取樣。
7
13采集水樣時(shí),應(yīng)先把管道中的積水放盡,并沖放5—10min,在流動(dòng)狀態(tài)取樣。以保證水樣有充分的代表性。
7
14取樣的體積約為容器體積的0.6—0.8,不得太滿。取樣后。應(yīng)迅速把容器蓋嚴(yán)。
7
1. 5細(xì)菌分析采樣容器必須經(jīng)過(guò)高溫消毒處理。
7
2 高純水的貯存與運(yùn)輸
7
21分析高純水中的陽(yáng)、陰離子時(shí),采集的水樣可存放72H。細(xì)菌檢驗(yàn)時(shí),水樣存放時(shí)間不得大于4H
7
22高純水在貯存和運(yùn)輸時(shí),應(yīng)檢查容器益是否密封嚴(yán)密。裝有水樣的容器不能在太陽(yáng)下曝曬或放在高溫處。冬天要注意防凍。
7. 2
3高純水在貯存和運(yùn)輸過(guò)程中;應(yīng)定時(shí)記錄時(shí)間、溫度和氣候條件等。

 

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